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通流容量:
通流容量是指施加規(guī)定波形的沖擊電流和沖擊次數(shù),沖擊后壓敏電壓的變化小于或等于規(guī)定值時所能通過的電流。它和脈沖幅度,脈沖持續(xù)時間及應用中所要承受的脈沖次數(shù)有關,可從降額曲線中查得。測量時一般施加8*20μs或2ms的方波。

源林電子是一家專業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器,自有研發(fā)團隊,廠家直銷!






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合理的配方和工藝是控制材料的化學成分和微觀結(jié)構(gòu),獲取優(yōu)良的宏觀物理性能的關鍵。而ZnO壓敏陶瓷實驗配方的設計是晶粒能否低壓化的關鍵技術之一,各種元素的添加和量的控制直接影響材料的顯微結(jié)構(gòu)和晶界特性,進而決定壓敏性能。ZnO本身的電性質(zhì)對本征缺陷,尤其是對氧空位和鋅填隙比較敏感,摻雜在壓敏特性的形成過程中,影響燒結(jié)時晶粒的生長、液相在冷卻時的去潤濕作用以及陶瓷的電子缺陷態(tài)。到目前為止,人們對低壓化及摻雜改性方面己經(jīng)作了很多研究工作,得到了許多有價值的結(jié)果,如Co、Mn
、Sb等可改善非線性指數(shù),Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒絕緣和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界,Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善穩(wěn)定性,而A1、Ga、F、Cr等可改善大電流非線性指數(shù)(形成ZnO晶粒中的施主),Sb及Si可抑制晶粒生長,Be、Ti、Sn則可促進晶粒生長。

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